随着功率密度的要求不断提升，SiC器件渗透率越来越高，芯片高结温对模块热管理提出了极高挑战。如何解决散热，提高系统效率，降低失效率，是制约新能源产业发展的重要课题。

大乙铜烧结(注册商标SolidCu™)技术，针对芯片顶部烧结(DIE Attach)和芯片基板烧结(Substrate Attach)开发自有全流程工艺，在大幅度提升烧结性能基础上，降低系统成本。不仅可以让SiC大面积提高渗透率，而且使Si基产品市场大大扩容。